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J-GLOBAL ID：200902299758250358   整理番号：08A1189303

時間分解SHGイメージングによるペンタセンFETへの両極性注入の評価

Ambipolar injection into pentacene FET evaluated by the time-resolved SHG imaging

著者 (4件)： 間中孝彰 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  中尾元春 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  LIM Eunju (東京工大 大学院理工学研究科) ,  岩本光正 (東京工大 大学院理工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 108  号： 272(OME2008 50-57)  ページ： 37-42  発行年： 2008年10月24日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 一般に有機物を用いたデバイスでは材料をドープせずに用いることが多く,デバイス中のキャリア密度は非動作時においては低いと考えられる。このため,デバイス動作にあたっては,キャリア注入が重要なプロセスとなり,注入にキャリア種を制御することも可能となる。実際に同一の有機材料を半導体層に用いた場合でも,適切な電極を選択することで両極性動作が可能となる例が報告されている。しかし,有機半導体材料では,p型を示すデバイスが大半で,移動度等の特性もp型動作時のほうが良好である。絶縁体表面への電子トラップがn型動作における特性低下の主要因とされるが,両極性動作(特にn型動作)についての研究はまだ始まったばかりであり,さまざまな議論がなされている。そこで,我々はこれまで,有機トランジスタ(OFET)の新規評価法として光第2次高調波発生法(SHG)を提案し,有機FETにおけるチャネル形成や,顕微分光による素子中の電界分布計測について検討してきた。また,新規SHG測定に時間分解分光計測と高感度冷却CCDによるイメージングを組み合わせることで,キャリアがFET素子中を流れる様子を画像化して捉えることにも成功した。これは,注入されたキャリアのデバイス中での振る舞いを詳細に検討する上で非常に有効な手法であると考えている。今回,金電極からペンタセン薄膜への両極性注入に着目し,電子・ホールそれぞれのキャリアについて注入の様子および注入後のキャリアの振る舞いを検討したので報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  時間分解分光法 ,  両極性拡散 ,  キャリア注入 ,  第二高調波発生 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： *有機FET ,  SHG【高調波】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ペンタセン

引用文献 (10件)：

• KATZ, H. E. Recent Advances in Semiconductor Performance and Printing Processes for Organic Transistor-Based Electronics. Chem. Mater. 2004, 16, 4748-4756
• OGAWA, S. Carrier Injection Characteristics in Organic Field Effect Transistors Studied by Displacement Current Measurement. Jpn. J. Appl. Phys. 2003, 42, L1275-L1278
• YASUDA, T. Ambipolar pentacene field-effect transistors with calcium source-drain electrodes. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 2098-2100
• CHUA, L. L. General observation of n-type field-effect behaviour in organic semiconductors. Nature. 2005, 434, 194-199
• MANAKA, T. Modulation in optical second harmonic generation signal from channel of pentacene field effect transistors during device operation. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, "222107-1"-"222107-3"

タイトルに関連する用語 (8件)： 分解 ,  SHG ,  イメージング ,  ペンタセン ,  FET ,  両極性 ,  注入 ,  評価