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J-GLOBAL ID：200902299815629709   整理番号：08A0424339

微小領域選択MOVPEにおけるSi上InGaAsの横方向成長に対するGa組成の影響

著者 (8件)： 出浦桃子 (東大 大学院) ,  星井拓也 (東大 大学院) ,  杉山正和 (東大 大学院) ,  中根了昌 (東大 大学院) ,  竹中充 (東大 大学院) ,  菅原聡 (東京工大) ,  高木信一 (東大 大学院) ,  中野義昭 (東大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 55th  号： 1  ページ： 359  発行年： 2008年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  選択成長 ,  MOCVD ,  *エピタクシー ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *ガリウム ,  マスク ,  ケイ素 ,  基板 ,  *化学組成 ,  *横方向成長
準シソーラス用語： 領域選択成長 ,  *MOVPE

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 微小領域 ,  MOVPE ,  Si ,  InGaAs ,  横方向成長 ,  Ga ,  組成