特許

J-GLOBAL ID：200903001165709596

化合物半導体基板の製造方法

発明者： 宮嶋 孝夫 ,  冨谷 茂隆 ,  碓井 彰
出願人/特許権者： ソニー株式会社 ,  日本電気株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-108017
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305160
出願日： 2001年04月06日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：

【要約】【課題】 単結晶基板上に結晶欠陥の少ない良質な化合物半導体層を形成し、化合物半導体層にダメージを与えることなく単結晶基板を剥離して化合物半導体基板を製造する。【解決手段】 単結晶基板(サファイヤ基板)11上に、サファイヤ基板11との間に部分的に空間18を設けた状態で結晶成長させてなる第1、第2、第3の化合物半導体層12、13,17を形成する工程と、サファイヤ基板11を透過して第1の化合物半導体層12に吸収されるレーザ光Lをサファイヤ基板11側より第1の化合物半導体層12に照射してサファイヤ基板11と第1の化合物半導体層12との界面を溶融させることにより第1、第2、第3の化合物半導体層12、13,17をサファイヤ基板11より剥離する。

請求項（抜粋）：

単結晶基板上に、該単結晶基板との間に部分的に空間を設けた状態で結晶成長させてなる化合物半導体層を形成する工程と、前記単結晶基板を透過して前記化合物半導体層に吸収されるレーザ光を前記単結晶基板側より前記化合物半導体層に照射して前記単結晶基板と前記化合物半導体層との界面を溶融させることにより前記化合物半導体層を前記単結晶基板より剥離する工程とを備えたことを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/02

FI (5件)：

H01L 21/268 E ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/02

Fターム (21件)：

5F041AA41 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AF09 ,  5F045BB11 ,  5F045CA11 ,  5F045DA52 ,  5F045DA67 ,  5F045DA69 ,  5F045DB09 ,  5F045HA18 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 窒化物半導体基板の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-356459   出願人：日亜化学工業株式会社