窒化物半導体基板の作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-356459
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176813
出願日： 1999年12月15日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】窒化物半導体を成長させる際に用いるサファイアなどの異種基板を良好に除去して窒化物半導体基板を得ることのできる窒化物半導体基板の作製方法を提供することである。【解決手段】第1の工程で透明な異種基板1上に窒化物半導体からなる下地層3を成長させ、第2の工程で下地層3を異種基板1までエッチングして凹凸を形成し、凹部側面に窒化物半導体の横方向の成長が可能な面を露出させ、第3の工程で凹凸を有する下地層3上に第1の窒化物半導体4を成長させ転位の低減された第1の窒化物半導体4を形成すると共に凹部底部の異種基板1と第1の窒化物半導体4との間に空隙を形成させ、その後第4の工程で下地層3の形成されていない異種基板1の面に電磁波を照射し下地層と異種基板との界面で分離して異種基板を取り除く。

請求項（抜粋）：

第1の面と第2の面とを有し窒化物半導体と異なる材料からなる透明な異種基板の第1の面上に、窒化物半導体からなる下地層を成長させる第1の工程と、前記第1の工程後に、前記下地層を部分的に異種基板までエッチングして凹凸を形成し、凹部側面に窒化物半導体の横方向の成長が可能な面を露出させる第2の工程と、第2の工程後に、前記凹凸を有する下地層上に、第1の窒化物半導体を成長させ、転位の低減された第1の窒化物半導体を形成すると共に、凹部底部の異種基板と第1の窒化物半導体との間に空隙を形成させる第3の工程と、前記第3の工程後に、前記異種基板の第2の面に電磁波を照射し、下地層と異種基板との界面で分離して異種基板を取り除く第4の工程と、を有することを特徴とする窒化物半導体基板の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/268 , C23C 16/34 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/268 E , C23C 16/34 , H01L 21/205 , H01L 33/00 C

Fターム (51件)：

4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030CA01 , 4K030CA12 , 4K030DA08 , 4K030FA10 , 4K030HA03 , 4K030LA12 , 5F041AA31 , 5F041AA40 , 5F041CA23 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA67 , 5F041CA74 , 5F041CA75 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF12 , 5F045AF13 , 5F045AF20 , 5F045BB12 , 5F045BB13 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045CA13 , 5F045DA53 , 5F045HA11 , 5F045HA12

引用特許：

出願人引用 (1件)

窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-119377 出願人：日亜化学工業株式会社

審査官引用 (1件)

窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-119377 出願人：日亜化学工業株式会社

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