特許
J-GLOBAL ID：200903001970902459
半導体受光装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-043369
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243984
出願日： 1999年02月22日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】 結晶成長、及び作製プロセスが簡易な端面入射型受光素子を用いながら、高速動作が可能で、かつ高受光感度が得られる半導体受光装置を提供することにある。【解決手段】 光吸収層を含む半導体多層構造に対し端面から光を入射する構造の半導体受光素子を用いた受光モジュールにおいて、入射光を該光入射端面に対して斜めに入射することにより、該光入射端面において屈折した入射光が前記光吸収層を層厚方向に対して斜めに通過するように構成される。
請求項（抜粋）：
少なくとも光吸収層を含む半導体多層構造を有する受光素子と、該受光素子の取り付け部材と、光を該受光素子に入射させる手段とから構成される半導体受光装置において、該受光素子への入射光が、該受光素子の基板端面に斜めに入射し、かつ、該光吸収層を斜めに通過する様に、該受光素子と該手段を配置したことを特徴とする半導体受光装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (15件)：
2H037AA01
, 2H037BA11
, 2H037BA12
, 2H037CA11
, 2H037CA32
, 2H037CA38
, 2H037DA03
, 5F088AB12
, 5F088BA01
, 5F088BB01
, 5F088DA17
, 5F088JA03
, 5F088JA11
, 5F088JA12
, 5F088JA14
