半導体装置の製造方法および基板処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：梶原辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-054717
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245047
出願日： 2005年02月28日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：

【課題】液体原料、特に有機液体原料を用いたCVD法やALD法によって形成された高誘電率のゲート絶縁膜の上に炭素を有しない界面をもってゲート電極を形成する。【解決手段】液体原料を用いたCVD法やALD法によって形成されたゲート絶縁膜としての酸化ハフニウム膜の上にゲート電極としてのアモルファスシリコン膜を形成する電極形成工程において、酸化ハフニウム膜が形成されたウエハに対して大気圧未満の圧力下で酸素ガスを用いたパージを実施し、その後、ウエハの存在雰囲気を大気圧未満の圧力に維持したまま、酸化ハフニウム膜の上に電極としてのアモルファスシリコン膜を形成する。絶縁膜としての酸化ハフニウム膜の表面に付着した炭素等の不純物を除去でき、さらに、不純物除去後の絶縁膜表面への不純物の再付着を防止できるので、高誘電率の絶縁膜の上に炭素等の不純物を有しない電極を形成することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

誘電率が7以上である絶縁膜が表面に形成された基板に対して、大気圧未満の圧力下で酸素含有ガスを用いたパージを実施し、その後、この基板が存在する雰囲気を大気圧未満の圧力に維持したまま、前記絶縁膜上に電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 , C23C 16/02 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L21/285 C , C23C16/02 , H01L29/58 G , H01L29/78 301G

Fターム (57件)：

4K030AA06 , 4K030BA29 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA02 , 4K030FA10 , 4K030JA09 , 4K030KA08 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 4M104BB01 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104BB25 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH20 , 5F045AA03 , 5F045AB03 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AD08 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AF08 , 5F045BB14 , 5F045CA05 , 5F045HA03 , 5F045HA22 , 5F045HA24 , 5F140AA24 , 5F140AA39 , 5F140AB01 , 5F140AB09 , 5F140AC32 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BE10 , 5F140BE13 , 5F140BF01 , 5F140BF03 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BF34 , 5F140BG28

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