特許

J-GLOBAL ID：200903008241823594

画像輪郭抽出装置

発明者： 鹿井 正博 ,  仲嶋 一 ,  西 和郎 ,  堀川 剛 ,  田畑 伸
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-062156
公開番号（公開出願番号）：特開平5-265030
出願日： 1992年03月18日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 画像の照射と電圧の印加を取り除いても、画像輪郭部を記録するとともに、高速に応答できる画像輪郭抽出装置を得る。【構成】 光導電層がアモルファス半導体で、かつ透明導電層と前記アモルファス半導体の間に薄い絶縁体層を設けたMIS型のダイオード構造とし、入力像を前記光導電層に結像しつつ前記透明電極間に前記駆動回路より光を照射していない部分でも、前記強誘電性液晶層が反転する程度に強い矩形の双極性パルスを印加して前記入力像の輪郭抽出像を前記強誘電性液晶層に記録し、前記双極性パルス印加後に前記読み出し光学系より読み出し光を照射し、前記強誘電性液晶層に記録された輪郭抽出像を読み出すようにしたものである。

請求項（抜粋）：

透明電極を積層した一対のガラス基板で、少なくとも強誘電性液晶層と光導電層を挟持してなる液晶ライトバルブと、この液晶ライトバルブの光導電層に入力像を提供する入力画像照射手段と、前記液晶ライトバルブに電圧を印加する駆動回路と、前記液晶ライトバルブの強誘電性液晶層に記録された画像を読み出す読み出し光学系よりなる光学式画像処理装置において、前記光導電層がアモルファス半導体で、かつ前記透明導電層と前記アモルファス半導体の間に薄い絶縁体層を設けたMIS型(Metal-Insulartor-Semiconductor)のダイオード構造とし、前記入力像を前記光導電層に結像しつつ前記透明電極間に前記駆動回路より光を照射していない部分でも、前記強誘電性液晶層が反転する程度に強い矩形の双極性パルスを印加して前記入力像の輪郭抽出像を前記強誘電性液晶層に記録し、前記双極性パルス印加後に前記読み出し光学系より読み出し光を照射し、前記強誘電性液晶層に記録された輪郭抽出像を読み出すことを特徴とする画像輪郭抽出装置。