プロトン伝導膜およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-258435
公開番号（公開出願番号）：特開2006-310253
出願日： 2005年09月06日
公開日（公表日）： 2006年11月09日
要約：

【課題】プロトン伝導性に優れたプロトン伝導膜の製造方法等を提供する。【解決手段】シラノール基を表面に有する空孔構造を有するプロトン伝導膜の製造方法であって、シリカ前駆体と分散微粒子を含む組成物を、加水分解してゲル化させた後、前記分散微粒子を、ゲルが有するシラノール基が失われない方法にて除去することによって、前記空孔構造を形成することを特徴とする、プロトン伝導膜の製造方法。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

シラノール基を表面に有する空孔構造を有するプロトン伝導膜の製造方法であって、シリカ前駆体と分散微粒子を含む組成物を、加水分解してゲル化させた後、前記分散微粒子を、ゲルが有するシラノール基が失われない方法にて除去することによって、前記空孔構造を形成する工程を含む、プロトン伝導膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01M 8/02 , H01M 8/10 , H01B 1/06 , H01B 13/00

FI (4件)：

H01M8/02 P , H01M8/10 , H01B1/06 A , H01B13/00 Z

Fターム (10件)：

5G301CD01 , 5G301CE01 , 5H026AA06 , 5H026BB10 , 5H026CX05 , 5H026HH00 , 5H026HH01 , 5H026HH03 , 5H026HH04 , 5H026HH06

引用特許：

審査官引用 (5件)

ナノ材料の製造方法およびナノ材料
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-032280 出願人：独立行政法人理化学研究所
ナノ被覆分子性材料
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-392087 出願人：理化学研究所
プロトン伝導性薄膜およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-176490 出願人：ダイムラークライスラーアーゲー

全件表示

前のページに戻る