電界分布又はキャリア分布を高次高調波の強度に基づいて検出する検出装置及びその検出方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：家入健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-058219
公開番号（公開出願番号）：特開2008-218957
出願日： 2007年03月08日
公開日（公表日）： 2008年09月18日
要約：

【課題】従来、サンプル中における電荷分布の変化自体を直接的に観察することはできなかった。【解決手段】電極間における電界分布又はキャリア分布を高次高調波の強度に基づいて検出する検出装置100であって、ペンタセンFET50に基本波を照射する照射部1と、ペンタセンFET50における電圧印加時の電界分布又はキャリア分布に応じて生成された前記高次高調波を検出する検出部15と、第1信号に基づき前記照射部よりペンタセンFET50に前記基本波を照射させ、第2信号に基づきペンタセンFET50に電圧を印加する制御信号出力部30と、を備え、制御信号出力部30は、前記第1信号の出力時点と前記第2信号の出力時点との間の時間間隔を変更可能に構成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

観察対象物に設けられた電極間における電界分布又はキャリア分布を高次高調波の強度に基づいて検出する検出装置であって、前記観察対象物に基本波を照射する照射部と、前記観察対象物における電圧印加時の電界分布又はキャリア分布に応じて生成された前記高次高調波を検出する検出部と、第1信号に基づき前記照射部より前記観察対象物に前記基本波を照射させ、第2信号に基づき前記観察対象物に電圧を印加する制御信号出力部と、を備え、前記制御信号出力部は、前記第1信号の出力時点と前記第2信号の出力時点との間の時間間隔を変更可能に構成される、検出装置。

IPC (3件)：

H01L 21/66 , H01L 29/786 , H01L 51/05

FI (4件)：

H01L21/66 L , H01L29/78 618B , H01L29/78 624 , H01L29/28 100A

Fターム (18件)：

4M106AA01 , 4M106AA10 , 4M106AB01 , 4M106BA05 , 4M106BA14 , 4M106CB30 , 4M106DH18 , 4M106DH32 , 5F110AA24 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110EE02 , 5F110EE07 , 5F110FF02 , 5F110GG05 , 5F110GG28 , 5F110HK02 , 5F110HK07

引用特許：

出願人引用 (1件)

高移動度測定装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-323199 出願人：国立大学法人北海道大学, 分光計器株式会社

審査官引用 (2件)

電位測定方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-102050 出願人：日本電気株式会社
有機半導体電界効果トランジスタの評価装置及び特性測定方法。
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-256713 出願人：国立大学法人東京工業大学

引用文献：

審査官引用 (6件)

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