特許

J-GLOBAL ID：200903016527795930

高誘電率薄膜形成用CVD装置および高誘電率薄膜の形成方法

発明者： 多留谷 政良 ,  堀川 剛 ,  川原 孝昭 ,  山向 幹雄
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-094587
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297681
出願日： 1998年04月07日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 原料の析出や残渣の発生が抑制され、BST薄膜を安定に形成することができるように改良された高誘電率薄膜形成用CVD装置を提供することを主要な目的とする。【解決手段】 当該装置は反応室3aと原料ガス供給管1と反応性ガス供給管2とを有する。原料ガス供給管1と反応性ガス供給管2の少なくとも一方には、反応室3aの内壁に沿ってガスを噴出させる噴出手段1aが設けられている。

請求項（抜粋）：

原料ガスと反応性ガスとを反応させて薄膜を形成する高誘電率薄膜形成用CVD装置であって、反応室と、前記反応室内に前記原料ガスを供給する原料ガス供給管と、前記反応室内に前記反応性ガスを供給する反応性ガス供給管と、を備え、前記原料ガス供給管と前記反応性ガス供給管の少なくとも一方には、前記反応室の内壁に沿って前記ガスを噴出させる噴出手段が設けられている、高誘電率薄膜形成用CVD装置。

IPC (5件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/52 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/44 D ,  C23C 16/44 J ,  C23C 16/52 ,  H01L 27/10 651