誘電体薄膜の製造方法およびその製造装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-164405
公開番号（公開出願番号）：特開2001-342572
出願日： 2000年06月01日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】誘電体薄膜の特性劣化を抑制することができる誘電体薄膜製造方法および誘電体薄膜製造装置を提供する。【解決手段】本発明の誘電体薄膜の製造方法は、第1チャンバにおいて液体CVD原料を気化して得られる原料ガスを用いてウエハ上に誘電体薄膜を堆積する工程と、前記ウエハを前記第1チャンバから第2チャンバに搬送する工程と、前記第2チャンバにおいて熱処理により前記ウエハ上の前記誘電体薄膜を結晶化する工程とを含む誘電体薄膜の製造方法であって、前記搬送工程において、前記第1チャンバと前記第2チャンバとを大気を遮断して接続する試料搬送室を介して前記ウエハが搬送され、前記試料搬送室は水蒸気分圧が1Pa以下に制御されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1チャンバにおいて液体CVD原料を気化して得られる原料ガスを用いてウエハ上に誘電体薄膜を堆積する工程と、前記ウエハを前記第1チャンバから第2チャンバに搬送する工程と、前記第2チャンバにおいて熱処理により前記ウエハ上の前記誘電体薄膜を結晶化する工程とを含む誘電体薄膜の製造方法であって、前記搬送工程において、前記第1チャンバと前記第2チャンバとを大気を遮断して接続する試料搬送室を介して前記ウエハが搬送され、前記試料搬送室は水蒸気分圧が1Pa以下に制御されていることを特徴とする誘電体薄膜の製造方法。

IPC (9件)：

C23C 16/56 , C23C 16/18 , H01G 4/33 , H01G 13/00 391 , H01L 21/205 , H01L 21/31 , H01L 21/316 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (8件)：

C23C 16/56 , C23C 16/18 , H01G 13/00 391 C , H01L 21/205 , H01L 21/31 B , H01L 21/316 X , H01G 4/06 102 , H01L 27/10 651

Fターム (60件)：

4K030AA11 , 4K030BA01 , 4K030BA42 , 4K030BB03 , 4K030CA04 , 4K030DA09 , 4K030GA12 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030KA08 , 4K030KA24 , 4K030LA01 , 5E082AB03 , 5E082BC14 , 5E082EE05 , 5E082EE37 , 5E082FF15 , 5E082FG03 , 5E082FG26 , 5E082FG42 , 5E082KK01 , 5E082MM11 , 5E082MM23 , 5E082MM24 , 5E082PP06 , 5E082PP07 , 5F045AA04 , 5F045AB31 , 5F045AC07 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AE29 , 5F045AE30 , 5F045AF10 , 5F045BB16 , 5F045DQ08 , 5F045EB08 , 5F045EN01 , 5F045HA16 , 5F045HA25 , 5F058BA01 , 5F058BA06 , 5F058BA09 , 5F058BA11 , 5F058BC03 , 5F058BF06 , 5F058BF27 , 5F058BH01 , 5F058BJ10 , 5F083AD11 , 5F083JA06 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083PR21 , 5F083PR33

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