特許

J-GLOBAL ID：200903022781910847

結晶性硫化物薄膜及びその製造方法

発明者： 武部 博倫 ,  森永 健次
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 平井 安雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-242735
公開番号（公開出願番号）：特開2004-083933
出願日： 2002年08月22日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：

【課題】本発明は、化学結合性に影響を受ける適切な特性を保持し、光誘起構造相転移の膜厚を極めて薄く生成した結晶性硫化物薄膜を提供する。【解決手段】ランタノイド硫化物又は遷移金属硫化物で構成される結晶性薄膜にレーザ光を照射して構造相転移が生じた結晶構造とすることにより、酸化物とセレン化物との中庸の物性を有することとなり、光部品・記録媒体・回路素子・センサー等について各特性を向上させると共に、光誘起構造相転移の膜厚を極めて薄くする加工を高精度且つ簡略化できる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板に対してYを含むランタノイド硫化物又は遷移金属硫化物を堆積して結晶性薄膜を形成し、当該結晶性薄膜へのレーザ光の照射により光誘起に基づく構造相転移が生じた結晶構造とすることを 特徴とする結晶性硫化物薄膜。

IPC (4件)：

C23C14/06 ,  C01F17/00 ,  C01G1/12 ,  C23C14/58

FI (4件)：

C23C14/06 D ,  C01F17/00 E ,  C01G1/12 ,  C23C14/58 C

Fターム (20件)：

4G059AA08 ,  4G059AB09 ,  4G059AC30 ,  4G059EA10 ,  4G059EB04 ,  4G076AA03 ,  4G076AB03 ,  4G076BA04 ,  4G076BF10 ,  4G076BG05 ,  4G076CA10 ,  4G076DA04 ,  4G076DA11 ,  4K029AA06 ,  4K029AA09 ,  4K029BA51 ,  4K029CA05 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K029GA00