特許

J-GLOBAL ID：200903023313663898

シリコン基板の加工方法

発明者： 伊藤 公平 ,  関口 武治 ,  吉田 俊治
出願人/特許権者： 学校法人慶應義塾 ,  独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (4件)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-022816
公開番号（公開出願番号）：特開2005-217236
出願日： 2004年01月30日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：

【課題】 シリコン基板の加工方法に関し、テラス構造のステップ部における上下段のSi原子配列のシフト量を再現性良く一定にする。【解決手段】 {111}面から2°以下の微小角度だけ傾斜したシリコン基板1に対し、傾斜方向に直交する方向に沿って電流を流すことによって、シリコン基板1を700°C〜830°Cの温度において5〜20時間熱処理を行う。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

{111}面から2°以下の微小角度だけ傾斜したシリコン基板に対し、前記傾斜方向に直交する方向に沿って電流を流すことによって、前記シリコン基板を700°C〜830°Cの温度において5〜20時間熱処理を行う工程を有することを特徴とするシリコン基板の加工方法。

IPC (3件)：

H01L29/06 ,  B82B3/00 ,  H01L29/82

FI (4件)：

H01L29/06 601N ,  H01L29/06 601L ,  B82B3/00 ,  H01L29/82 Z

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 全シリコン量子コンピューティング素子及びその製造方法とそれを用いた全シリコン量子コンピュータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-059733   出願人：科学技術振興事業団