特許
J-GLOBAL ID：200903024639280693
半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
藤島 洋一郎
, 三反崎 泰司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-268011
公開番号（公開出願番号）：特開2007-081197
出願日： 2005年09月15日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：
【課題】ハイパワーで駆動しても、レーザ構造を変更しないで、CODレベルを上昇させ、L-I特性のキンクレベルを上昇させ、さらに通電中の動作電流を低減することができ、これにより、信頼性や寿命を向上させることの可能な半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】窒化物系III-V族化合物半導体からなるレーザ構造と、そのレーザ構造の共振器方向に形成された一対のへき開面37,38と、その一対のへき開面37,38のうちレーザ光の射出側に形成された被膜39と、レーザ構造に電流を注入するためのp側電極35およびn側電極36とを備える。p側電極35およびn側電極36にしきい値以上の大きさの電流を所定の時間流してレーザ光を被膜39に照射することにより、被膜39のうちレーザ光の射出された領域を含む領域を改質する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
窒化物系III-V族化合物半導体からなるレーザ構造と、そのレーザ構造の共振器方向に形成された一対のへき開面と、前記一対のへき開面のうちレーザ光の射出側に形成された被膜と、前記レーザ構造に電流を注入するための一対の電極とを備えた半導体レーザの製造方法であって、
前記一対の電極にしきい値以上の大きさの電流を所定の時間流してレーザ光を前記被膜に照射することにより、前記被膜のうち前記レーザ光の照射された領域を含む領域を改質する
ことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
5F173AA08
, 5F173AG12
, 5F173AG17
, 5F173AH22
, 5F173AK22
, 5F173AL04
, 5F173AL12
, 5F173AP05
, 5F173AP32
, 5F173AP33
, 5F173AP73
, 5F173AP82
, 5F173AR68
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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