特許

J-GLOBAL ID：200903047842258776

半導体レーザの製造方法、半導体レーザ、半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 日野 智公 ,  東條 剛 ,  池田 昌夫 ,  大藤 良夫 ,  内田 史朗 ,  冨谷 茂隆 ,  森田 悦男
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-191614
公開番号（公開出願番号）：特開2002-335053
出願日： 2001年06月25日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：

【要約】【課題】 通電中の動作電流の増加が極めて少なく、長寿命で経時変化も極めて少ない、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザを容易に製造する。【解決手段】 窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザの共振器端面を形成した後、共振器端面を不活性ガスのプラズマ雰囲気に暴露し、あるいは、真空中または不活性ガス雰囲気中において30°C以上700°C以下の温度で加熱を行う工程と共振器端面を不活性ガスのプラズマ雰囲気に暴露する工程とを行い、あるいは、共振器端面を30°C以上700°C以下の温度で不活性ガスのプラズマ雰囲気に暴露する。これらの処理後に共振器端面に端面コーティングを行う。あるいは、共振器端面に密着層を介して端面コーティングを行う。

請求項（抜粋）：

窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザの製造方法において、上記半導体レーザの共振器端面を形成した後、この共振器端面を不活性ガスのプラズマ雰囲気に暴露するようにしたことを特徴とする半導体レーザの製造方法。

IPC (3件)：

H01S 5/343 610 ,  H01L 21/3065 ,  H01S 5/028

FI (3件)：

H01S 5/343 610 ,  H01S 5/028 ,  H01L 21/302 N

Fターム (18件)：

5F004AA14 ,  5F004BA14 ,  5F004BD05 ,  5F004CA06 ,  5F004DA23 ,  5F004EB08 ,  5F004FA08 ,  5F073AA46 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA07 ,  5F073DA16 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-335850   出願人：ソニー株式会社
• 半導体レーザの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-338173   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体レーザ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-237025   出願人：住友電気工業株式会社
• 半導体レーザおよび製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-141416   出願人：松下電器産業株式会社