窒化物半導体層の成長方法及び窒化物半導体素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大澤斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-031378
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237656
出願日： 2001年02月07日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：

【要約】【課題】結晶欠陥密度が低い窒化物半導体層の成長方法を提供する。【解決手段】本方法は、基板12に対して格子不整合又は熱不整合の窒化物半導体層を結晶欠陥なく基板上に成長させる方法である。本方法は、基板12上に第1の窒化物半導体層14を成長させる第1の工程と、第1の窒化物半導体層上に所定のパターンを有するマスクを形成し、次いでマスクから露出した第1の窒化物半導体層及び基板の上層部を除去して、第1の窒化物半導体層及び基板の上層部からなる凸部18と基板を露出させた凹部19とを有する凹凸構造を基板面に形成する第2の工程と、高密度結晶欠陥領域16が存在する第1の窒化物半導体層下層部を含む凸部下部に凸部下部の側面を覆う側壁保護膜20を形成する第3の工程と、側壁保護膜を凸部下部の側面に備えた凹凸構造上に第2の窒化物半導体層22を成長させる第4の工程とを有する。

請求項（抜粋）：

格子不整合及び熱的不整合の少なくとも一方の不整合性を基板に対して有する窒化物半導体層を基板上に成長させる方法において、基板上に第1の窒化物半導体層を成長させる第1の工程と、第1の窒化物半導体層上に所定のパターンを有するマスクを形成し、次いでマスクから露出した第1の窒化物半導体層及び基板の上層部を除去して、基板を露出させた凹部と第1の窒化物半導体層及び基板の上層部からなる凸部とを有する凹凸構造を基板面に形成する第2の工程と、高密度結晶欠陥領域が存在する第1の窒化物半導体層下層部を少なくとも含む凸部下部に、凸部下部の側面を覆う側壁保護膜を形成する第3の工程と、側壁保護膜を凸部下部の側面に備えた凹凸構造上に第2の窒化物半導体層を成長させる第4の工程とを有することを特徴とする窒化物半導体層の成長方法。

IPC (2件)：

H01S 5/223 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01S 5/223 , H01L 21/205

Fターム (35件)：

5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB15 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA11 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DB01 , 5F045DB04 , 5F045HA13 , 5F073AA11 , 5F073AA45 , 5F073AA74 , 5F073BA06 , 5F073CA02 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB14 , 5F073DA05 , 5F073DA06 , 5F073DA07 , 5F073DA25 , 5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (1件)

トレンチ内に側方に成長させられるエピタキシャル材料及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-110251 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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