特許
J-GLOBAL ID：200903044557033249
トレンチ内に側方に成長させられるエピタキシャル材料及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 馨 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-110251
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021771
出願日： 1999年04月19日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】エヒ ゚タキシャル層に高品質で転位密度の低い材料を生成する簡便な方法を提供する。【解決手段】トレンチ(60)内にエヒ ゚タキシャル材料(71,72,73...)を側方に成長させることによって、転位密度が十分に低いトレンチヘ ゙ースの半導体材料を製作することが可能となる。トレンチ(60)の側壁(61)から成長を開始することによって、格子成長テンフ ゚レート内に存在する転位(54)の密度が最小になり、従って、再成長材料内の転位密度が最小になる。また、再成長がトレンチ(60)を満たしてそれをオーハ ゙ーフローすることができるようにすることによって、低転位密度材料(71,72,73...)が、それが成長させられる基板(52)の表面全体を被うことが可能となる。さらに、トレンチ成長手順を逐次繰り返すことによって、より高品質の材料を得ることができる。そして、安定した、高品質のエヒ ゚タキシャル材料を必要とするテ ゙ハ ゙イスを、この低転位密度材料から製作することができる。
請求項（抜粋）：
転位密度の低い材料を成長させるための方法であって、基板(52)にトレンチ(60)を形成するステップと、前記トレンチ(60)において、エピタキシャル側方成長層(71)を、前記トレンチ(60)の壁(61)から開始して、成長させるステップとからなる方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/20
, H01L 33/00 C
