半導体発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-130525
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330622
出願日： 1995年05月29日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】キャリアの通過の妨げとなるポテンシャルバリアが存在せず、かつキャリアがスムーズに効率よく発光層に注入され、さらに半導体傾斜組成ないしは半導体中間組成層に起因する量子効率の低下がない半導体発光素子を提供することを目的とする。【構成】半導体発光素子は、発光層とその両側にクラッド層を有する半導体発光素子において、図1に示すようにp形クラッド層に発光層に対し価電子帯不連続がほとんど零もしくは負の値を有し、伝導帯不連続は正の値を有する半導体材料、またはn形クラッド層に発光層に対し伝導帯不連続がほとんど零もしくは負の値を有し、価電子帯不連続は正の値を有する半導体材料を用いた構成からなる。

請求項（抜粋）：

発光層と、該発光層の両側に設けられたp形クラッド層およびn形クラッド層とを有する半導体発光素子において、前記p形クラッド層に、前記発光層からみて正孔に対する価電子帯不連続が零もしくは負の値であり、かつ電子に対する伝導帯不連続が正の値を有する半導体材料が用いられることを特徴とする半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (1件)

量子井戸構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-318713 出願人：日本電気株式会社

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