特許
J-GLOBAL ID：200903036847058358

空洞を有するシリコン基板上の高移動度MISFET半導体装置及びその製造方法

発明者：
若林 整

若林 整 について

, 
小椋 厚志

小椋 厚志 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 浜田 治雄
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2004011988
公開番号（公開出願番号）：WO2005-020314
出願日： 2004年08月20日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：
MISFETの高性能化を実現する高移動度歪みシリコン構造に、低欠陥かつ低コストで移動度を向上した半導体装置を提供する。MISFETの高性能化を実現する高移動度歪みシリコン構造として、空洞を有するシリコン基板上に、格子緩和シリコン・ゲルマニウム膜/濃度傾斜シリコン・ゲルマニウム膜を形成し、さらにその上に歪みシリコン膜を形成する。これにより、空洞近傍の格子の束縛が緩み、自由度が増すことにより、シリコン・ゲルマニウム膜の薄膜化が実現できるため、低欠陥かつ低コストで移動度を向上した半導体装置を提供できる。
請求項（抜粋）：
MIS(金属-絶縁膜-シリコン)型電界効果トランジスタを備えた半導体装置であって、 空洞を有するシリコン基板上に形成された格子緩和シリコン・ゲルマニウム膜上に、引っ張り応力が印可された歪みシリコンチャネルを有する半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/092
FI (4件)：
H01L29/78 301B ,  H01L21/20 ,  H01L27/08 102A ,  H01L27/08 321B
Fターム (74件)：
5F048AA08 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA09 ,  5F048BA14 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BD09 ,  5F048BF06 ,  5F048BF17 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F140AA01 ,  5F140AA05 ,  5F140AB03 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BA17 ,  5F140BC06 ,  5F140BC12 ,  5F140BC13 ,  5F140BD09 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG34 ,  5F140BG37 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BH36 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK10 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK25 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC09 ,  5F140CC13 ,  5F140CE00 ,  5F140CF04 ,  5F152LL03 ,  5F152LM09 ,  5F152LN02 ,  5F152LN08 ,  5F152LN14 ,  5F152LN21 ,  5F152LN40 ,  5F152MM04 ,  5F152NN03 ,  5F152NN24 ,  5F152NN30 ,  5F152NP04 ,  5F152NQ03
引用特許：
出願人引用 (3件)

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