特許

J-GLOBAL ID：200903039856262641

吸収型半導体光変調器

発明者： 山中 孝之 ,  深野 秀樹 ,  齋藤 正 ,  廣野 卓夫
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-060488
公開番号（公開出願番号）：特開2004-271744
出願日： 2003年03月06日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】高速動作を阻む要因となっていたマイクロ波損失を効果的に取り除くことができる吸収型半導体光変調器を提供する。【解決手段】吸収端波長が光信号の波長より短い半導体コア23と、電圧印加時にその半導体コアの吸収端波長を長波長側に動かすことにより、光信号を半導体コア23に吸収させるための電圧印加用の電極3A,3Bを具備する。半導体コア23の上部にあるp型の導電性を持つ半導体pクラッド層25において、pクラッド層がドーピング濃度の異なる複数の層251、252、253を積層した多層構造からなり、多層構造におけるドーピング濃度分布において中央部のpクラッド層252として、そのドーピング濃度が外側のpクラッド層251、253のドーピング濃度よりも小さく、かつドーピング濃度1×1017cm-3以下の層を含んでいる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

吸収端波長が光信号の波長よりも短い半導体コアと、電圧印加時に前記半導体コアの前記吸収端波長を長波長側に動かすことにより前記光信号を前記半導体コアに吸収させるための電圧印加用の電極とを具備する吸収型半導体光変調器において、 前記半導体コアの上部にあるp型の導電性を持つ半導体pクラッド層がドーピング濃度の異なる3層以上の層を積層した多層構造からなり、かつ前記多層構造におけるドーピング濃度分布において中央部または略中央部の層のドーピング濃度がその外側の層のドーピング濃度よりも低濃度であることを特徴とする吸収型半導体光変調器。

IPC (1件)：

G02F1/017

FI (1件)：

G02F1/017 503

Fターム (8件)：

2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  2H079EA07 ,  2H079EB04 ,  2H079HA15

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 吸収型光変調器およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-198008   出願人：日本電気株式会社