特許

J-GLOBAL ID：200903086186732070

吸収型光変調器およびその製造方法

発明者： 清水 淳一 ,  古嶋 裕司
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-198008
公開番号（公開出願番号）：特開2001-021851
出願日： 1999年07月12日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】製造過程での光吸収層直近への不純物の拡散を防止し、光吸収層内の電界強度分布むらを防止し、高速変調時のクロスポイントを理想的な状態に保つ。【解決手段】光吸収層の上部に隣接した第1上部クラッド層と第1上部クラッド層上部に設けた第2上部クラッド層との間に、不純物拡散防止層を設けて、光吸収層に隣接した第1上部クラッド層にp型不純物が拡散するのを防止する。

請求項（抜粋）：

光吸収層を、前記光吸収層よりもバンドギャップエネルギーが大きいクラッド層で挾んだ多層構造で成るストライプ状導波路を半導体基板上に備え、前記光吸収層の一端から入射した光の吸収を前記光吸収層に印加した電界強度を変えることにより変化させる吸収型光変調器において、前記光吸収層の上部に隣接した第1の上部クラッド層と前記第1の上部クラッド層上部に設けた第2の上部クラッド層との間に、前記第2の上部クラッド層及び前記第2の上部クラッド層上方に設けた半導体層から前記第1の上部クラッド層にp型不純物が拡散するのを防止する不純物拡散防止層を設けたことを特徴とする吸収型光変調器。

IPC (2件)：

G02F 1/025 ,  G02F 1/017 503

FI (2件)：

G02F 1/025 ,  G02F 1/017 503

Fターム (9件)：

2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA05 ,  2H079DA16 ,  2H079DA22 ,  2H079EA03 ,  2H079HA04 ,  2H079HA13

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 埋め込み型半導体光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-242942   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体光デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-010812   出願人：日本電信電話株式会社