特許
J-GLOBAL ID:200903042452381362

カルコゲナイド焼成体およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 筒井 知
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-082320
公開番号(公開出願番号):特開2004-284923
出願日: 2003年03月25日
公開日(公表日): 2004年10月14日
要約:
【課題】比較的低温における焼成処理により緻密性や蛍光特性などにおいて優れているカルコゲナイド焼成体を得ることのできる技術を提供する。【解決手段】カルコゲナイドに式A2X3で表わされる助剤(式中、Aは、B、Al、GaまたはInを表わし、Xは、S、SeまたはTeを表わす)0.1〜5モル%を添加し、カルコゲナイド-A2X3が液相を形成する温度(一般的には1000°Cから1400°C)で焼成する。相対密度が80%以上、場合によっては95%以上の緻密質カルコゲナイド焼成体、あるいは蛍光強度のきわめて増大した発蛍光性カルコゲナイド焼成体が得られる。【選択図】 図5
請求項(抜粋):
カルコゲナイドに式A2X3で表わされる助剤(式中、Aは、B、Al、GaまたはInを表わし、Xは、S、SeまたはTeを表わす)0.1〜5モル%を添加し、カルコゲナイド-A2X3が液相を形成する温度で焼成する工程を含むことを特徴とするカルコゲナイドの多結晶から成る焼成体の製造方法。
IPC (1件):
C04B35/547
FI (1件):
C04B35/00 T
Fターム (4件):
4G030AA55 ,  4G030AA67 ,  4G030BA14 ,  4G030GA27

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