特許
J-GLOBAL ID：200903045015847408
GaN系III-V族化合物半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
角田 芳末
, 伊藤 仁恭
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2004012708
公開番号（公開出願番号）：WO2005-020396
出願日： 2004年08月26日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：
440nm以上の発光波長で、高発光効率かつ高信頼性のGaN系III-V族化合物半導体発光素子を提供する。本GaN系半導体レーザ素子10は、サファイア基板12の表層、バッファ層14、及び第1のGaN層16からなるストライプ状の凸部18、及びサファイア基板上に、第2のGaN層20、n側クラッド層22、n側ガイド層24、活性層26、劣化防止層28、p書ガイド層30、p側クラッド層32、及びp側コンタクト層34の積層構造を備える。活性層は、GaInN障壁層36と、GaInN井戸層38との量子井戸構造として構成されて、障壁層と井戸層の上面もしくは下面もしくはその双方との間にAlGaN層からなる面状結晶欠陥抑制層40を介在させている。p側コンタクト層及びp側クラッド層の上部は、ストライプ状リッジ42として形成され、リッジに平行にメサ44が形成されている。
請求項（抜粋）：
GaN系化合物半導体からなる障壁層とGaInN層からなる井戸層との量子井戸構造の活性層を有し、発光波長が440nm以上のGaN系III-V族化合物半導体発光素子において、
障壁層とGaInN井戸層の下面もしくは上面もしくはその双方との間に、膜厚0.25nm以上3nm以下のAlxGa1-xN層(0.4>x>0.02)からなる面状結晶欠陥抑制層が介在していることを特徴とするGaN系III-V族化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S5/343 610
, H01L21/205
5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AD09
, 5F045AD14
, 5F045AF04
, 5F045AF05
, 5F045AF09
, 5F045AF12
, 5F045AF13
, 5F045CA12
, 5F045DA53
, 5F045DA55
, 5F045EB13
, 5F173AA08
, 5F173AF06
, 5F173AF12
, 5F173AF15
, 5F173AG12
, 5F173AG20
, 5F173AH22
, 5F173AH44
, 5F173AP05
, 5F173AP19
, 5F173AP32
, 5F173AR82
