特許
J-GLOBAL ID：200903052207003307
半導体装置設計支援方法、半導体装置設計支援システム、半導体装置設計支援プログラム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
須山 佐一
, 川原 行雄
, 山下 聡
, 須山 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-296336
公開番号（公開出願番号）：特開2007-108843
出願日： 2005年10月11日
公開日（公表日）： 2007年04月26日
要約：
【課題】不良発生メカニズムにかかわる統計モデルを同定すること。【解決手段】各不良モードの不良発生メカニズムに関する仮説を複数個想定した上で、仮説のそれぞれについて、複数の状態変数から複数の出力変数へのデータ分布の関数型を、各不良モードに対応した所定の故障物理モデルを考慮して仮定し、複数の状態変数に関する確率変数データ集合と離散化した結合確率分布および確率密度が0でない確率変数データ集合とを、あらかじめ与えられたまたは数値実験点を拡充中のCAE解析結果データに基づき応答曲面モデルおよびモンテカルロシミュレーションを用いて算出し、複数の入力変数および前記複数の出力変数についてのあらかじめ得られたまたはモニタリング中の観測データ集合と、第2のステップにおいて算出された複数の状態変数の結合確率分布とから、仮定されたデータ分布の関数形に応じたパラメータを推定する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
不良発生にかかわる複数の設計変数(不良要因)をそれぞれ入力変数とし複数の不良モードにかかわる測定可能量をそれぞれ出力変数とし、かつ、前記複数の入力変数と前記複数の出力変数との間に複数の潜在的な状態変数が介在するとした階層構造の統計モデルにおいて、各不良モードの不良発生メカニズムに関する仮説を複数個想定した上で、前記仮説のそれぞれについて、前記複数の状態変数から前記複数の出力変数へのデータ分布の関数型を、各不良モードに対応した所定の故障物理モデルを考慮して仮定する第1のステップと、
前記複数の状態変数に関する確率変数データ集合と離散化した結合確率分布および確率密度が0でない確率変数データ集合とを、あらかじめ与えられたまたは数値実験点を拡充中のCAE解析結果データに基づき応答曲面モデルおよびモンテカルロシミュレーションを用いて算出する第2のステップと、
前記複数の入力変数および前記複数の出力変数についてのあらかじめ得られたまたはモニタリング中の観測データ集合と、前記第2のステップにおいて算出された複数の状態変数の結合確率分布とから、前記仮定されたデータ分布の関数形に応じたパラメータを推定する第3のステップと
を具備することを特徴とする半導体装置設計支援方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
G06F17/50 666Z
, G06F17/50 604A
5B046AA08
, 5B046BA03
, 5F136AA10
, 5F136EA61
