半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-213141
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054752
出願日： 1997年08月07日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】選択シリコン膜を有するMOSFETに関して、欠陥が少なく、表面平坦性が高い選択シリコン膜を形成する。【解決手段】 MOSFET形成において、シリコン基板1上にカバー膜2、例えばシリコン酸化膜を30nm以下の膜厚で形成する。次に、ソース・ドレイン領域31を形成するために、シリコン基板中に不純物を導入する。更に、その不純物の活性化のために熱処理を行う。次に、カバー膜を塩素等のガスによるドライエッチング等の方法で除去後、シリコン基板表面に存在する汚染層4、例えば高濃度に弗素が存在する層を、4弗化炭素ガスや塩素等を用いた化学ドライエッチングにより除去する。それによって、結果を含まない選択成長シリコン膜52を形成する。

請求項（抜粋）：

ソース・ドレイン領域上に選択成長シリコン膜を形成する工程において、シリコン基板の表面にカバー膜が存在するかまたは存在しない構造体にイオン注入する工程と、その後の熱処理の工程と、ドライエッチングまたは熱処理によりソース・ドレイン領域表面の高濃度汚染層を除去する工程の工程設備を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 29/78 301 S , H01L 21/28 301 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-030422
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-089220 出願人：松下電器産業株式会社
特開昭63-115376

全件表示

前のページに戻る