特許

J-GLOBAL ID：200903062584007258

高誘電率薄膜形成用CVD溶液原料のモニター方法およびその装置

発明者： 川原 孝昭 ,  堀川 剛 ,  多留谷 政良 ,  山向 幹雄
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-335656
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176819
出願日： 1997年12月05日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】 CVD溶液原料の濃度の異常、劣化の有無等を確認することのできる高誘電率薄膜形成用CVD溶液原料のモニター方法を提供することを主要な目的とする。【解決手段】 化学気相堆積の原料として用いる、ジピバロイルメタン系有機金属化合物を有機溶剤に溶解してなるCVD溶液原料を準備する。上記CVD溶液原料の分光分析を行なう。

請求項（抜粋）：

化学気相堆積の原料として用いるジピバロイルメタン系有機金属化合物を有機溶剤に溶解してなるCVD溶液原料の分光分析を行なう工程を備えた、高誘電率薄膜形成用CVD溶液原料のモニター方法。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/18 ,  G01N 21/33

FI (3件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/18 ,  G01N 21/33