特許
J-GLOBAL ID:200903075552456632
多層配線形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山川 政樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-077944
公開番号(公開出願番号):特開2002-280451
出願日: 2001年03月19日
公開日(公表日): 2002年09月27日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】平担な層間絶縁膜と多層配線構造をより容易に形成できるようにする。【解決手段】選択的メッキにより下部配線層105を形成し、感光性と熱硬化性を有するポリイミドからなる樹脂膜201が形成されたシートフィルム202を下層配線層105を含む層間絶縁膜102上に貼り合わせた状態で、基板101を所定の真空度の容器内で、シートフィルム202に荷重と温度を加えて接着した状態とし、シートフィルム202を剥がし、感光性樹脂膜201の全域に露光して現像液に可溶な状態とし、これを現像し、下部配線層105上面が露出した状態とし、加熱処理を施して感光性樹脂膜201を熱硬化させ、絶縁膜106を形成する。次に絶縁膜106と下部配線層105の上に所定の領域にホール108aを備えたレジストパターン108を形成し、108a内に選択的メッキにより接続部109を形成し、上記と同様に絶縁膜110を形成する。
請求項(抜粋):
半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に第1の金属膜を形成する工程と、前記第1の金属膜上に所定の方向に延在する溝状の複数の開口領域を備えた第1のマスクパターンを形成する工程と、前記第1のマスクパターンの開口領域底部に露出した第1の金属膜表面にメッキ法により複数の第1の金属パターンを形成する工程と、前記第1のマスクパターンを除去した後、前記第1の金属パターンをマスクとして前記第1の金属膜をエッチング除去し、前記第1の金属膜および前記第1の金属パターンからなる複数の電極配線からなる下部配線層を形成する工程と、感光性を有する第1の樹脂膜を前記下部配線層の凹凸を吸収して平坦な状態となるように前記層間絶縁膜上に形成する工程と、前記樹脂膜を現像することで前記第1の樹脂膜を所定量除去し、かつ熱硬化させて第1の絶縁膜とすることで、前記下部配線層上面が露出し、前記第1の絶縁膜上面と前記下部配線層上面とが実質的に同一の平面を形成した状態とする工程と、前記第1の絶縁膜上に第2の金属膜を形成する工程と、前記第1の金属パターンいずれかの上の領域の前記第2の金属膜上に所定の領域にホールを備えた第2のマスクパターンを形成する工程と、前記第2のマスクパターンのホール底部に露出した前記第2の金属膜表面にメッキ法により柱状の第2の金属パターンを形成する工程と、前記第2のマスクパターンを除去した後、前記第2の金属パターンをマスクとして前記第2の金属膜をエッチング除去し、前記第2の金属膜および前記第2の金属パターンからなる接続部を形成する工程と、感光性を有する第2の樹脂膜を前記接続部の凹凸を吸収して平坦な状態となるように前記第1の絶縁膜上に形成する工程と、前記樹脂膜を現像することで前記第2の樹脂膜を所定量除去し、かつ熱硬化させて第2の絶縁膜とすることで、前記接続部上面が露出し、前記第2の絶縁膜上面と前記接続部上面とが実質的に同一の平面を形成した状態とする工程と、前記第2の絶縁膜上に、一部が前記接続部に接続する複数の電極配線からなる上部配線層を形成する工程とを備えたことを特徴とする多層配線形成方法。
IPC (2件):
H01L 21/768
, H01L 21/3205
FI (2件):
H01L 21/90 A
, H01L 21/88 K
Fターム (33件):
5F033HH07
, 5F033HH11
, 5F033HH18
, 5F033JJ07
, 5F033JJ11
, 5F033JJ18
, 5F033KK07
, 5F033KK11
, 5F033KK18
, 5F033MM05
, 5F033NN02
, 5F033NN03
, 5F033PP19
, 5F033PP27
, 5F033PP28
, 5F033QQ08
, 5F033QQ09
, 5F033QQ10
, 5F033QQ11
, 5F033QQ19
, 5F033QQ21
, 5F033QQ27
, 5F033QQ31
, 5F033QQ74
, 5F033QQ85
, 5F033RR06
, 5F033RR21
, 5F033RR22
, 5F033RR27
, 5F033SS00
, 5F033SS15
, 5F033XX01
, 5F033XX09
引用特許:
審査官引用 (9件)
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半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-260206
出願人:日本電気株式会社
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半導体装置の平坦化方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-088050
出願人:日本ファウンドリー株式会社
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-205636
出願人:富士通株式会社
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特開平2-253624
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特開平1-122140
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薄膜形成方法および薄膜形成装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-176715
出願人:日本電信電話株式会社
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特開昭61-258448
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配線構造の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-170032
出願人:日本電信電話株式会社
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特公昭50-002059
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