半導体装置の平坦化方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-088050
公開番号（公開出願番号）：特開平11-265888
出願日： 1998年03月17日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：

【要約】【課題】平坦化のためのレジストエッチバック法において、フォトレジストを多層に塗布形成する必要が無く、且つ、ドライエッチング時の熱でフォトレジストが炭化して残ることを防止できる方法を提供する。【解決手段】単一塗布工程で3μm以上の厚膜に形成できる感光性ポリイミド膜5をCVD絶縁膜4の上に形成する。この感光性ポリイミド膜5の完全感光に必要な最低露光エネルギーEth以下の露光エネルギーで、感光性ポリイミド膜5の所定膜厚部分5aだけを感光させた後、現像処理でその感光部分5aのみを除去する。或いは、感光性ポリイミド膜5を完全に感光させた後、現像処理時間の制御でその所定膜厚分だけを除去する。この第1のエッチバック工程後、ドライエッチングによる第2のエッチバック工程を行う。【効果】感光性ポリイミドはドライエッチング時の熱で炭化しないので、エッチバック後、残存した感光性ポリイミド膜5の除去が容易である。

請求項（抜粋）：

半導体装置の下層構造を形成する工程と、前記下層構造を埋め込むように、その上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上に感光性ポリイミド膜を形成する工程と、前記感光性ポリイミド膜を全面露光する工程と、前記感光性ポリイミド膜を現像して、その所定膜厚分だけを除去する第1のエッチバック工程と、前記感光性ポリイミド膜と前記絶縁膜とが実質的に同一のエッチングレートとなるエッチングにより全面エッチングする第2のエッチバック工程と、を有することを特徴とする半導体装置の平坦化方法。

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭61-069146
特開昭62-112327
特開昭61-069146

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