特許
J-GLOBAL ID：200903085143257259
光スイッチ装置およびその製造方法
出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社
日本電信電話株式会社 について
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-272897
公開番号（公開出願番号）：特開2004-109580
出願日： 2002年09月19日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
【課題】集積度の低下や歩留りの低下を抑制しつつ、従来より微細な光スイッチ装置を容易に製造し、ミラーを高精度に制御する。【解決手段】半導体基板101上の特定平面上に導電性を有する支柱120により支持されて開口領域を備えたミラー基板130と、ミラー基板130の開口領域に回動可能に各々設けられたミラー131と、ミラー131に回動動作を行わせるための制御電極部140と制御回路150と、ミラー131の回転角度を検出するためのセンサ電極部151と、センサ電極部151の信号に基づいてミラー131の回転角度を検出するセンサ回路152とから光スイッチ装置を構成する。これらはシリコンからなる半導体基板101上に集積されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁膜を介して半導体基板上に選択的に形成された導電性材料からなる支持部材と、
この支持部材により支持されかつ前記支持部材と電気的に接続されて前記半導体基板との間に所定の空間をあけて配置され、開口領域を備えた導電性材料からなるミラー基板と、
このミラー基板の開口領域の内側に配置され、前記ミラー基板に連結部を介して回動可能に連結されかつ電気的に接続された導電性材料からなるミラーと、
絶縁膜を介してこのミラーの下部の前記半導体基板上に前記ミラーと離間して選択的に形成された制御電極部と、
絶縁膜を介して前記ミラーの下部の前記半導体基板上に、前記ミラーと離間しかつ前記制御電極部と電気的に分離して選択的に形成されたセンサ電極部と、
前記半導体基板上に前記センサ電極部と電気的に接続するように形成され、前記センサ電極部の信号に基づいて前記ミラーの回動角度を検出するセンサ回路と、
前記半導体基板上に前記制御電極部と電気的に接続するように形成され、前記センサ回路で検出された前記ミラーの回動角度に基づいて前記ミラーの回動動作を制御する制御回路とを少なくとも備えたことを特徴とする光スイッチ装置。
IPC (4件)：
FI (4件)：
Fターム (6件)：
引用特許：
審査官引用 (4件)
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空間光変調器およびその製造方法、並びにその空間光変調器を用いた電子機器
公報種別：公開公報 出願番号：特願平8-043603 出願人：セイコーエプソン株式会社 -
可変形状鏡
公報種別：公開公報 出願番号：特願2000-365799 出願人：オリンパス光学工業株式会社 -
特開平4-211218
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