液体原料気化装置、半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-083623
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274145
出願日： 2000年03月24日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】気化残渣の発生を抑制できる液体原料気化装置を提供し、膜厚の安定したCVD膜を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】気化室本体20と気化室上蓋21とにより気化室が構成されており、この気化室上蓋21には液体原料を気化室内に導入するための原料導入管23が接続されている。気化室20、21から原料導入管23への熱の伝わりを抑制するため、気化室20、21の外壁表面に熱放射防止体25が設けられている。

請求項（抜粋）：

有機金属錯体を溶媒に溶解させた液体原料を気化せしめる気化装置であって、前記液体原料を導く原料供給管と、前記原料供給管に接続され、かつ前記原料供給管から導入された前記液体原料を加熱し気化せしめる気化室と、前記気化室および前記原料導入管の少なくともいずれかに取付けられ、かつ前記気化室から前記原料供給管への熱の伝わりを抑制する抑制手段とを備える、液体原料気化装置。

IPC (6件)：

H01L 21/31 , B01J 19/00 , C23C 16/448 , H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (6件)：

H01L 21/31 B , B01J 19/00 B , B01J 19/00 L , C23C 16/448 , H01L 27/10 451 , H01L 27/10 651

Fターム (25件)：

4G075AA24 , 4G075BC04 , 4G075BD14 , 4K030AA11 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA01 , 4K030EA03 , 4K030KA14 , 4K030KA46 , 5F045AB31 , 5F045AC07 , 5F045AD08 , 5F045DC63 , 5F045DP03 , 5F045EE02 , 5F045EF05 , 5F083AD21 , 5F083AD48 , 5F083FR02 , 5F083JA13 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083PR21

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