特許

J-GLOBAL ID：200903095926174475

真性素子特性抽出方法

発明者： 平野 拓一 ,  広川 二郎 ,  安藤 真 ,  中野 洋 ,  平地 康剛
出願人/特許権者： 国立大学法人東京工業大学 ,  株式会社 アムシス
代理人 (1件)： 五十嵐 省三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-053061
公開番号（公開出願番号）：特開2009-210381
出願日： 2008年03月04日
公開日（公表日）： 2009年09月17日
要約：

【課題】寄生回路の特性インピーダンスを未知のまま真性素子の特性を抽出できる真性素子特性抽出方法を提供すること。【解決手段】ステップ101において、ベクトルネットワークアナライザVNAを用いて外部ポートから見た2ポートの機能回路DUTのSパラメータS(DUT)を測定する。次に、ステップ102において、電磁界シミュレータを用いて外部ポート及び内部ポートから見た4ポートの寄生回路PCのSパラメータSを演算する。次に、ステップ103において、ステップ102において演算されたSパラメータSをSパラメータ/ZパラメータのハイブリッドパラメータAに変換する。最後に、ステップ104において、機能回路DUTのSパラメータS及びハイブリッドパラメータAを用いて真性素子FETのZパラメータZ(DEV)を演算する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

外部ポート(P1,P2)を有する寄生回路(PC)と該寄生回路内に埋め込められ該寄生回路の内部ポート(P3,P4)に接続された真性素子とを具備する機能回路(DUT)から前記真性素子の特性を抽出するための真性素子特性抽出方法であって、 ベクトルネットワークアナライザを用いて前記外部ポートから見た前記機能回路のSパラメータ(S(DUT))を測定するステップと、 電磁界シミュレータを用いて前記外部ポート及び前記内部ポートから見た前記寄生回路のSパラメータ(S)を演算するステップと、 前記寄生回路のSパラメータのうち前記内部ポートの部分に関してのみ電流、電圧で表現することにより前記寄生回路のSパラメータをSパラメータとZパラメータ、Yパラメータ及びZ、Yパラメータのハイブリッドパラメータの1つとのハイブリッドパラメータ(A)に変換するステップと、 前記機能回路のSパラメータ及び前記ハイブリッドパラメータを用いて前記真性素子のZパラメータ(Z(DEV))を演算するステップと を具備する真性素子特性抽出方法。

IPC (1件)：

G01R 31/26

FI (1件)：

G01R31/26 B

Fターム (6件)：

2G003AA01 ,  2G003AA02 ,  2G003AH05 ,  2G028AA01 ,  2G028BB11 ,  2G028CG30