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J-GLOBAL ID：201002213650944824   整理番号：10A0463109

反応性パルスレーザーアブレーション法によるGaNナノ結晶の作製

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著者 (6件)： 角本宗一郎 (甲南大 理工) ,  吉田岳人 (阿南工高専) ,  梅津郁朗 (甲南大 理工) ,  梅津郁朗 (甲南大 量子ナノテク研) ,  杉村陽 (甲南大 理工) ,  杉村陽 (甲南大 量子ナノテク研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 57th  ページ： ROMBUNNO.18P-E-13  発行年： 2010年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *レーザアブレーション ,  *結晶成長 ,  *ナノ結晶 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  触媒活性 ,  結晶構造 ,  Nd-YAGレーザ ,  光高調波 ,  圧力効果 ,  格子欠陥 ,  *雰囲気 ,  反応性 ,  パルスレーザ照射 ,  *窒素ガス

分類 (2件)： レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 反応性 ,  パルスレーザーアブレーション法 ,  GaN ,  ナノ結晶 ,  作製