文献
J-GLOBAL ID:201002216952976635   整理番号:10A1615513

地域,国立と国際ナノエレクトロニクス研究プログラム:トピックスの集中とギャップ

Regional, National, and International Nanoelectronics Research Programs: Topical Concentration and Gaps
著者 (7件):
資料名:
巻: 98  号: 12  ページ: 1993-2004  発行年: 2010年12月 
JST資料番号: D0378A  ISSN: 0018-9219  CODEN: IEEPAD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
長期のナノエレクトロニクス研究に関する欧州,日本と米国での主要な公的資金によるプログラムから収集した,International Planning Working Group on Nanoelectronics(IPWGN)により得た数結果について概観した。多くの注目を引く研究トピックスと一見魅力に乏しいように見える重要トピックッスを識別するため,長期間ナノエレクトロニクスを牽引すると予想される一組の研究方向上に,これらのプログラムと計画をマッピングした。このマッピングは,ナノエレクトロニクスにおける今後の長期研究の見解を得るのに有用である。しかし,その描く絵図面の品質を過大評価すべきでなく,その調査は完全からはほど遠いことを示した。さらに,主な公的と私的研究機関,ネットワークと研究を支援する基盤機構を含む,ナノエレクトロニクスの進展に大きく寄与する要因を考慮する必要がある。地域間共同研究プログラムの例を示すととも,特に国際共同研究研究を支援するのに供給される資金源を解明した。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス一般 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る