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J-GLOBAL ID：201002218329666920   整理番号：10A0463015

GaAs基板上にエピタキシャル成長したInAs薄膜からのTHz波放射特性

著者 (7件)： 石橋祐太郎 (大工大) ,  海野伸弥 (大工大) ,  竹家啓 (大阪大) ,  前元利彦 (大工大) ,  佐々誠彦 (大工大) ,  井上正崇 (大工大) ,  斗内政吉 (大阪大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 57th  ページ： ROMBUNNO.19A-L-6  発行年： 2010年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *分光用光源 ,  *電磁波 ,  *半導体薄膜 ,  *ヒ化インジウム ,  基板 ,  ヒ化ガリウム ,  パルスレーザ照射 ,  光パルス ,  化合物半導体 ,  *エピタクシー ,  エッチング ,  膜厚 ,  空間依存性 ,  *放射強度 ,  光ポンピング ,  ウェットエッチング ,  *テラヘルツ波 ,  超短パルス

分類 (2件)： 光源  (BD07020D) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs基板 ,  エピタキシャル成長 ,  InAs ,  薄膜 ,  THz波 ,  放射特性