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J-GLOBAL ID：201002219863243917   整理番号：10A0490888

厚みが5nm以下のシリコン・オン・インシュレータ(SOI)を有する(110)配向した超薄ボディ二重ゲートp型金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の移動度劣化

Mobility Degradation in (110)-Oriented Ultrathin-Body Double-Gate p-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with Silicon-on-Insulator Thickness of Less than 5nm

著者 (2件)： SHIMIZU Ken (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 4,Issue 1  ページ： 041302.1-041302.3  発行年： 2010年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (110)配向した超薄ボディ二重ゲートp型金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の移動度劣化を実験により初めて実証した。移動度劣化の物理的起源は高エネルギーサブバンド中の占有率増加に起因し,これがサブバンド間散乱を強くすると考えられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *SOI構造 ,  P型半導体 ,  *移動度 ,  占有率 ,  散乱
準シソーラス用語： サブバンド間散乱

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (7件)：

• K. Uchida, J. Koga, and S. Takagi: IEDM Tech. Dig., 2003, p. 805.
• S. Kobayashi, M. Saitoh, and K. Uchida: IEDM Tech. Dig., 2007, p. 707.
• G. Tsutsui, M. Saitoh, and T. Hiramoto: IEEE Trans. Electron Devices 53(2006)2582.
• G. Tsutsui, M. Saitoh, and T. Hiramoto: IEEE Electron Device Lett.26(2005)836.
• International Technology Roadmap for Semiconductors 2008 update [http://www.itrs.net/].

タイトルに関連する用語 (10件)： 厚み ,  シリコン・オン・インシュレータ ,  SOI ,  配向 ,  ボディ ,  二重ゲート ,  金属酸化物半導体 ,  電界効果トランジスタ ,  MOSFET ,  移動度