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J-GLOBAL ID:201002220210818483   整理番号:10A0391023

液体およびガス中のプラズマ化学気相堆積によるダイアモンド合成

Diamond synthesis by plasma chemical vapor deposition in liquid and gas
著者 (5件):
資料名:
巻: 19  号: 5-6  ページ: 418-422  発行年: 2010年05月 
JST資料番号: W0498A  ISSN: 0925-9635  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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常圧よりも大きい圧力下の2.45GHzマイクロ波プラズマ化学気相堆積(CVD)によるダイアモンド合成の特徴を研究した。Si基板上への堆積は走査電子顕微鏡およびラマン分光により確認された。ダイアモンドの成長速度は300kPaで250μm/hであることが分かり,それは従来の低圧CVD法のそれより10倍大きい。ダイアモンドの高速堆積を有効にするために,ガス相マイクロ波プラズマCVDのダイアモンド成長速度を液体中プラズマCVD法のそれと比較した。系の圧力が高くなるにつれ,成長速度大きくなることが見出され,液体中プラズマCVDと同様の傾向を示した。ガス相および液体中プラズマCVD法におけるダイアモンド単位体積当たりインプットマイクロ波エネルギー量も比較した。ダイアモンド単位体積当たりのインプットマイクロ波エネルギー量は0.6から1kWh/mm3であることを見出した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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その他の無機化合物の薄膜  ,  炭素とその化合物 
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