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J-GLOBAL ID：201002226905847245   整理番号：10A1102509

ダブルマルチホロー放電によるシリコン粒子の表面窒化

著者 (11件)： 内田儀一郎 (九大 大学院) ,  佐藤宗治 (九大 大学院) ,  川嶋勇毅 (九大 大学院) ,  中原賢太 (九大 大学院) ,  山本康介 (九大 大学院) ,  山下大輔 (九大 大学院) ,  松崎秀文 (九大 大学院) ,  鎌滝晋礼 (九大 高等教セ) ,  板垣奈穂 (九大 大学院) ,  古閑一憲 (九大 大学院) ,  白谷正治 (九大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.17A-ZF-7  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ホロー陰極放電 ,  ケイ素 ,  *ナノ粒子 ,  半導体薄膜 ,  表面処理 ,  イオン窒化 ,  光ルミネセンス ,  *マルチホロー陰極放電 ,  シリコン太陽電池 ,  薄膜太陽電池 ,  *シリコンナノ粒子 ,  改変
準シソーラス用語： プラズマ窒化

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 放電 ,  シリコン ,  窒化