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J-GLOBAL ID：201002227895892979   整理番号：10A0063337

Fcc-金属/グラフェン/fcc-金属接合における電子状態と磁気抵抗効果

Magnetoresistance and electronic states of the fcc-metal/Graphene/fcc-metal junctions

著者 (4件)： 山村彰紀 (名古屋大) ,  本多周太 (名古屋大) ,  井上順一郎 (名古屋大) ,  伊藤博介 (関西大)
資料名： 電気学会マグネティックス研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： MAG-09  号： 168-189  ページ： 7-10  発行年： 2009年12月01日 
JST資料番号： Z0924A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 強磁性リード線に対し現実的なバンドモデルを用い,清浄な強磁性体/グラフェン/強磁性体なる接合におけるスピン依存の電気伝導性と磁気抵抗(MR)を研究した。グラフェンはグラファイトを単層膜した構造であり,フェルミ面上でエネルギー分散関係が線形となり,有効質量がゼロになるという特殊な電子状態であるため,量子ホール効果や量子スピンホール効果が出現する。グラフェンをデバイスに応用するには,金属端子をつけた接合系を用いる必要があるため,この接合系について研究する必要がある。そこですべての軌道に対し,タイトバインディングモデルと線形応答理論を適用して,流れる電流のスピン分極を計算した。グラファイトと強磁性体との間の接触面積を増加させるとともにコンダクタンスが減少し,MR比が増加することがわかった。

シソーラス用語： 電子スピン ,  Fermi準位 ,  有効質量 ,  量子Hall効果 ,  半導体金属接合 ,  束縛条件 ,  線形応答理論 ,  電気伝導率 ,  計算モデル ,  *磁気抵抗効果 ,  グラファイト ,  FCC金属 ,  電子状態 ,  強束縛近似 ,  スピン分極 ,  *接合 ,  グラフェン
準シソーラス用語： *金属-グラフェン接合

分類 (1件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H)

引用文献 (19件)：

• K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov: “Electric Field Effect in Atomically Thin Carbon Films”, Science, Vol.306, No.5696 p. 666-669(2004)
• K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, I. V. Grigorieva, S. V. Dubonos, and A. A. Firsov: “Two-dimensional gas of massless Dirac fermions in graphene”, Nature, Vol.438, pp. 197-200(2005)
• A. Rycerz, J. Tworzydlo, and C. W. J. Beenakker: “Valley filter and valley valve in graphene”, Nature Physics, Vol.3, pp. 172-175(2007)
• C. L. Kane, and E. J. Mele “Quantum Spin Hall Effect in Graphene”, Phys. Rev. Lett., Vol.95, No.22 pp. 226801(2005)
• Y. Zhang, Y. W. Tan, H. L. Stormer, and P. Kim: “Experimental observation of the quantum Hall effect and Berry’s phase in graphene”, Nature, Vol.438, pp. 201-204(2005)

タイトルに関連する用語 (5件)： FCC ,  グラフェン ,  金属接合 ,  電子状態 ,  磁気抵抗効果