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J-GLOBAL ID：201002228623912764   整理番号：10A0881860

トポロジカル絶縁体Bi₂Se₃におけるDirac表面状態の磁場中STM/STS

著者 (6件)： 花栗哲郎 (理研) ,  五十嵐九四郎 (東京工大 応用セラミックス研) ,  川村稔 (理研) ,  高木英典 (理研) ,  高木英典 (東大) ,  笹川崇男 (東京工大 応用セラミックス研)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 65  号： 2 第4分冊  ページ： 657  発行年： 2010年08月18日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： セレン化物 ,  *ビスマス化合物 ,  誘電体 ,  *表面準位 ,  バンド構造 ,  *トンネル分光法 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  トポロジカル絶縁体 ,  セレン化ビスマス ,  Dirac点

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (4件)： トポロジカル絶縁体 ,  磁場 ,  STM ,  STS