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J-GLOBAL ID：201002236443848068   整理番号：10A0565059

Takeuchiプロットを用いた高温における閾値電圧可変性の研究

Investigation of Threshold Voltage Variability at High Temperature Using Takeuchi Plot

著者 (4件)： TSUNOMURA Takaaki (MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN) ,  NISHIDA Akio (MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 5,Issue 1  ページ： 054101.1-054101.6  発行年： 2010年05月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高温における金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のしきい値電圧(V_T)可変性の特性を,素子マトリクスアレイテスト要素群(DMA-TEG)を評価することにより研究した。V_T変化が,室温におけるよりも,高温において低いこと,そして,高温におけるV_Tが室温におけるV_Tと強い相関をもっていることを明らかにした。室温及び高温の両者におけるV_T可変性の正規性を,正規確率プロットを用いて検証した。高温におけるV_T変化の減少は,チャネル枯渇層幅(W_dep)の減少から生じた。V_T変化の温度依存性を,Takeuchiプロット,V_T変化正規化法,を用いて評価した。B_VT,TakeuchiプロットにおけるV_T変化のパラメータ,が温度変化に関して非常に小さいことが明らかになった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *可変性 ,  *温度依存性 ,  正規分布 ,  正規化 ,  *閾値電圧
準シソーラス用語： 正規確率分布

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (24件)：

• M. J. M. Pelgrom, A. C. J. Duinmaijer, and A. P. G. Welbers: IEEE J. Solid-State Circuits 24(1989)1433.
• K. J. Kuhn: IEDM Tech. Dig., 2007, p. 467.
• T. Mizuno, J. Okamura, and A. Toriumi: IEEE Trans. Electron Devices 4(1994)2216.
• A. Asenov, A. R. Brown, J. H. Davies, S. Kaya, and G. Slaycheva: IEEE Trans. Electron Devices 50(2003)1837.
• A. Asenov: VLSI Tech. Dig., 2007, p. 86.

タイトルに関連する用語 (4件)： プロット ,  閾値電圧 ,  可変性 ,  研究