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J-GLOBAL ID：200902270048052770   整理番号：03A0636526

デカナノメータおよびナノメータ規模MOSFETにおける固有パラメータゆらぎのシミュレーション

Simulation of Intrinsic Parameter Fluctuations in Decananometer and Nanometer-Scale MOSFETs

著者 (5件)： ASENOV A (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR) ,  BROWN A R (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR) ,  DAVIES J H (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR) ,  KAYA S (Ohio Univ., OH, USA) ,  SLAVCHEVA G (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 50  号： 9  ページ： 1837-1852  発行年： 2003年09月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電荷や物質の離散性によって導入されるMOSFET固有パラメー...

シソーラス用語： *MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ナノメータ ,  規模 ,  MOSFET ,  固有 ,  パラメータ ,  ゆらぎ ,  シミュレーション