文献

J-GLOBAL ID：201002255700295550   整理番号：10A0356245

有機金属気相エピタクシーによって成長させたIn_0.17Al_0.83N/GaNから成るヘテロ構造の小さな価電子帯オフセット

Small valence-band offset of In_0.17Al_0.83N/GaN heterostructure grown by metal-organic vapor phase epitaxy

著者 (6件)： AKAZAWA M. (Res. Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN) ,  MATSUYAMA T. (Res. Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN) ,  HASHIZUME T. (Res. Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN) ,  HIROKI M. (NTT Photonics Laboratories, NTT Corp., Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN) ,  YAMAHATA S. (NTT Photonics Laboratories, NTT Corp., Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN) ,  SHIGEKAWA N. (NTT Photonics Laboratories, NTT Corp., Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 13  ページ： 132104  発行年： 2010年03月29日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属気相エピタクシー(MOVPE)によって成長させた格子整合したIn_0.17Al_0.83N/GaNから成るヘテロ構造における価電子帯のオフセットを,X線光電子分光法(XPS)によって研究した。原子間力顕微鏡および角度分解XPSによる測定から,MOVPE法によってGaN基板上に薄いIn_0.17Al_0.83N(2.5nm)層が巧く堆積されていることが分かった。XPSの結果から,価電子帯のオフセットは0.2±0.3eVであることが分かった。この結果は,In_0.17Al_0.83N/GaNの界面における伝導帯のオフセットは0.9~1.0eV程度で,バンドの不連続性の大部分は伝導帯のオフセットによって決定されていることを示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MOCVD ,  *アルミニウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *ヘテロ接合 ,  *バンドオフセット ,  価電子バンド ,  原子間力顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  角度分解分光法 ,  光電子分光法 ,  伝導バンド ,  *窒化インジウムアルミニウム
準シソーラス用語： MOVPE ,  *窒化アルミニウムインジウム

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 有機金属気相エピタクシー ,  成長 ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  価電子帯 ,  オフセット