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J-GLOBAL ID：201002258430325000   整理番号：10A0525323

光学的手法で見る有機薄膜トランジスタにおける電荷のダイナミクス

Optical measurements for investigating carrier dynamics in the organic thin-film transistors

著者 (2件)： 間中孝彰 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  岩本光正 (東京工大 大学院理工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 15(SDM2010 1-16)  ページ： 59-64  発行年： 2010年04月16日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 有機デバイスに多用される反転対称中心を有する材料においても,材料中の局所電界によって誘起される光第二次高調波が発生する(電界誘起光第二次高調波発生:EFISHG)。我々は,このEFISHGを用いた有機トランジスタ(OFET)に対する新規評価法を提案し,OFETにおけるチャネル形成や,顕微分光による素子中の電界分布計測について検討してきた。その上で,時間分解分光計測と高感度冷却CCDによるイメージングを組み合わせる(TRM-SHG)ことで,キャリアがFET素子中を流れる様子をイメージとして捉えることに成功した。このキャリア挙動を解析すると,キャリアは時間の平方根に比例して電極から移動する。数値計算によってデバイス中におけるキャリアの時間発展をシミュレーションしたところ,この時間依存性を支持する結果が得られ,これらから移動度を見積もることが可能となった。一方で,OFETチャネル部の等価回路(梯子型回路)を用いても,パルス電圧印加に伴うキャリア(電界)の過渡的変化について検討することができ,ここでも実験で観測されたよう時間依存性を支持する結果が得られた。ここで示したTRM-SHG法は,高い空間(500nm程度)および時間(20ns程度)分解能でキャリアのダイナミクスを直接観測することができる手法である。実際のデバイスにおいては,電極金属依存性や絶縁膜依存性などを評価することで,静特性からは得られないFETの過渡特性に関する有効な情報が得られる。(著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  FET【トランジスタ】 ,  有機半導体 ,  *半導体薄膜 ,  高調波 ,  時間分解分光法 ,  キャリア捕獲 ,  ゲート【半導体】 ,  酸化膜 ,  ゲート絶縁膜 ,  第二高調波 ,  化成皮膜
準シソーラス用語： キャリヤトラップ ,  二次高調波 ,  *有機薄膜トランジスタ

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 光学 ,  手法 ,  有機薄膜トランジスタ ,  電荷 ,  ダイナミクス