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J-GLOBAL ID：201002258850351864   整理番号：10A1085984

Si CMOS基板上ダミーメタル入り伝送線路の伝搬定数の固有値解析

Eigenmode Analysis of Propagation Constant for a Transmission Line with Dummy Metals on a Si CMOS Substrate

著者 (5件)： 小野雄也 (東京工大) ,  平野拓一 (東京工大) ,  岡田健一 (東京工大) ,  広川二郎 (東京工大) ,  安藤真 (東京工大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 197(MW2010 66-86)  ページ： 89-93  発行年： 2010年09月02日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年,通信の高速化,大容量化に伴い,ミリ波システムの低価格化に向けてGaAs基板などよりも低コストなSi CMOS基板を用いたRF回路が研究されている。RF回路はCMOSプロセスを用いるため,複数のメタル層とビア,そしてCMP(化学機械研磨)のためのデザインルールを満たすために不可欠な数um角のダミーメタルにより構成されている。RF回路の基本素子である伝送線路にもダミーメタルを入れる必要があり,従来の数GHz程度までの周波数ではダミーメタルによる影響は設計において考慮されていなかったが,ダミーメタルの伝送特性への影響が無視できないと考えられるミリ波帯では影響を正確に把握する必要がある。本研究ではダミーメタルが周期配置された伝送線路(周期構造導波路)の1周期分の固有値解析による伝搬定数の計算方法を提案する。また,ガイド付マイクロストリップ線路の伝搬定数の計算値と0.18um CMOSプロセスによる実測値を比較した。計算値と実測値はよく一致した。また,計算によりダミーメタルの配置による伝搬特性への影響を調べた。電磁界が強いところにダミーメタルを配置すると伝搬損失が増加することを確認した。(著者抄録)

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  電気回路 ,  *伝送線路 ,  伝搬定数 ,  導波路 ,  *解析 ,  EHF波 ,  マイクロストリップ線路 ,  伝搬特性 ,  電磁場 ,  損失
準シソーラス用語： *Si CMOS基板 ,  *固有値解析 ,  周期構造導波路 ,  伝搬損失

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  伝送回路理論  (NA02020X)

引用文献 (4件)：

• 土谷亮. ダミーフィルを考慮した伝送線路およびスパイラルインダクタの設計. 第21回 シリコンアナログRF研究会, 第21回2009年11月. 2009
• VECCHI, F. Design of Low-Loss Transmission Lines in Scaled CMOS by Accurate Electromagnetic Simulations. IEEE Journal of Solid-State Circuite. 2009, 44, 9, 2605-2615
• 小野雄也. ダミーメタル入り伝送線路の伝搬定数の固有値解析. 電子情報通信学会 総合大会, 2010年3月. 2010
• HSU, H. P. On The General Relation Between α and Q (Correspondence). IEEE Trans. MTT. 1963, 11, 4, 258

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  CMOS ,  ダミー ,  メタル ,  伝送線路 ,  伝搬定数 ,  固有値解析