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J-GLOBAL ID：201002268290764799   整理番号：10A0220941

100nmゲート陥凹構造n-GaN/AlGaN/GaN HEMTの30GHz低雑音性能

30-GHz Low-Noise Performance of 100-nm-Gate-Recessed n-GaN/AlGaN/GaN HEMTs

著者 (7件)： CHANG Chia-Ta (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  HSU Heng-Tung (Yuan Ze Univ., Chung-Li, TWN) ,  CHANG Edward Yi (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  KUO Chien-I (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  HUANG Jui-Chien (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LU Chung-Yu (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  MIYAMOTO Yasuyuki (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 2  ページ： 105-107  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 30GHzで低い雑音特性を示すHEMTを開発した。この陥凹構造GaN HEMTは0.28Ω・cmの低いOhm接触抵抗値と0.9μA/mmの低いゲート漏れ電流をV_GS=-3VとV_DS=10Vのバイアス時に示した。同じバイアスポイント,30GHzで1.6dBの最小雑音指数と5dBの結合利得を達成した。これは調べた限りではゲート陥凹AlGaN/GaN HEMTについて報告された最良の雑音性能である。20~40GHzの|R_n/Z_opt|値に平均値として0.53が得られ,このことからも,この種のデバイスが通信網用途の広帯域低雑音増幅器に約束された候補のひとつになると期待される。

シソーラス用語： サブミクロン加工 ,  ゲート【半導体】 ,  *HEMT ,  窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  素子構造 ,  *マイクロ波トランジスタ ,  *低雑音増幅器

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート ,  陥凹 ,  GaN ,  AlGaN ,  HEMT ,  雑音性能