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J-GLOBAL ID：201002276200953035   整理番号：10A0881861

トポロジカル絶縁体Bi₂Se₃の電子構造

著者 (16件)： 笹川崇男 (東京工大 応用セラミックス研) ,  CHEN Y.L. ,  五十嵐九四郎 (東京工大 応用セラミックス研) ,  CHU J.-H. ,  ANALYTIS J.G. ,  LIU Z.K. ,  KUO H.-H. ,  QI X.L. ,  MO S.K. ,  MOORE R.G. ,  LU D.H. ,  HASHIMOTO M. ,  ZHANG S.C. ,  FISHER I.R. ,  HUSSAIN Z. ,  SHEN Z.-X.
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 65  号： 2 第4分冊  ページ： 657  発行年： 2010年08月18日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： セレン化物 ,  *ビスマス化合物 ,  誘電体 ,  *ドーピング ,  N型半導体 ,  P型半導体 ,  *キャリア密度 ,  *Fermi準位 ,  トポロジカル絶縁体 ,  セレン化ビスマス

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (2件)： トポロジカル絶縁体 ,  電子構造