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J-GLOBAL ID：201002278459316915   整理番号：10A0291119

単斜晶系構造を持つCaBi₂O₄の第一原理エネルギーバンド計算

First-principles energy band calculation for CaBi₂O₄ with monoclinic structure

著者 (6件)： NAKAMURA Hiroyuki (Integrated Arts and Sci., Kitakyushu National Coll. of Technol., 5-20-1 Shii, Kokuraminami-ku, Kitakyushu 802-0985, JPN) ,  ISHII Shin’ichirou (Integrated Arts and Sci., Kitakyushu National Coll. of Technol., 5-20-1 Shii, Kokuraminami-ku, Kitakyushu 802-0985, JPN) ,  YAMADA Kenji (Dep. of Materials Sci. and Chemical Engineering, Kitakyushu National Coll. of Technol., 5-20-1 Shii, Kokuraminami-ku ...) ,  MATSUSHIMA Shigenori (Dep. of Materials Sci. and Chemical Engineering, Kitakyushu National Coll. of Technol., 5-20-1 Shii, Kokuraminami-ku ...) ,  ARAI Masao (Computational Materials Sci. Center (CMSC), National Inst. of Materials Sci. (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN) ,  KOBAYASHI Kenkichiro (Dep. of Materials Sci., Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8011, JPN)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 121  号： 1-2  ページ： 385-389  発行年： 2010年05月15日 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GGA(一般化勾配近似)法により,CaBi₂O₄の電子構造を計算した。価電子バンド最大値はΓ-点かY-点にほぼ位置し,伝導バンド最小値はV-点に位置する。これは,CaBi₂O₄が間接エネルギーギャップ材料であることを意味する。伝導バンドはBi 6p-O 2p相互作用から成る。他方,価電子バンドは,-9.92~-7.40eV(下方価電子バンド)と-4.69~0eV(上方価電子バンド)の2つの領域に分けられる。前者はO 2sや2p状態と少し相互作用するBi 6s状態から主に構成され,後者はBi 6sや6p状態とハイブリッド化したO 2p状態から成る。価電子バンド最大値付近の状態は強く局在化され,バンドギャップ励起により生じた正孔移動度はかなり低いと予想される。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 価電子バンド ,  *ビスマス酸塩 ,  *カルシウム化合物 ,  *単斜晶系 ,  電子構造 ,  *計算 ,  伝導バンド ,  エネルギーギャップ ,  分布 ,  キャリア移動度 ,  結晶構造 ,  光触媒 ,  正孔移動度 ,  *第一原理計算 ,  可視領域 ,  *エネルギー帯
準シソーラス用語： *エネルギーバンド ,  局在化

分類 (4件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  電子構造一般  (BM02010K) ,  光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単斜晶系 ,  第一原理 ,  エネルギーバンド ,  計算