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J-GLOBAL ID：201002284363449876   整理番号：10A1103589

Pr系酸化膜を用いたヘテロ積層構造トンネル膜の電気特性シミュレーションと作製及び評価

著者 (9件)： 小林大助 (東工大 量子ナノエレ研セ) ,  小林大助 (都市大 工) ,  栗原智之 (東工大 量子ナノエレ研セ) ,  栗原智之 (東京工大 大学院) ,  小寺哲夫 (東工大 量子ナノエレ研セ) ,  内田建 (東京工大 大学院) ,  野平博司 (都市大 工) ,  小田俊理 (東工大 量子ナノエレ研セ) ,  小田俊理 (東京工大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.17A-ZE-2  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： プラセオジム ,  *酸化膜 ,  *積層構造 ,  *トンネル効果 ,  シミュレーション ,  *酸化ケイ素 ,  バンド構造 ,  記憶特性 ,  X線光電子スペクトル ,  *酸化プラセオジム ,  *トンネル接合 ,  *フラッシュメモリ ,  ウエハ【IC】 ,  MIS構造 ,  高k誘電体 ,  シリコンウエハ ,  *化成皮膜
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  トンネル電流 ,  Si基板

分類 (3件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (8件)： Pr ,  酸化膜 ,  積層構造 ,  トンネル ,  電気特性 ,  シミュレーション ,  作製 ,  評価