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J-GLOBAL ID：201002286324974478   整理番号：10A1610890

電場誘起ESRによる主鎖配向制御された高分子超薄膜トランジスタの界面分子配向評価

著者 (7件)： 渡辺峻一郎 (名大 院) ,  田中久暁 (名大 院) ,  黒田新一 (名大 院) ,  冨川晴貴 (名大 院) ,  戸田章雄 (名大 院) ,  永野修作 (名大 院) ,  関隆広 (名大 院)
資料名： 電子スピンサイエンス学会年会講演要旨集  (SEST)
巻： 49th  ページ： 260-261  発行年： 2010年11月11日 
JST資料番号： L0838B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *分子配向 ,  高分子薄膜 ,  超薄膜 ,  *ESR【磁気共鳴】 ,  *ポリヘキシルチオフェン ,  *FET【トランジスタ】 ,  キャリア移動度 ,  単分子層 ,  薄膜トランジスタ ,  電界効果移動度
準シソーラス用語： 電場誘起ESR ,  *有機FET ,  有機薄膜トランジスタ

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物のEPR  (BM07024U) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (10件)： 電場 ,  誘起 ,  ESR ,  主鎖 ,  配向制御 ,  高分子超薄膜 ,  トランジスタ ,  界面 ,  分子配向 ,  評価