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J-GLOBAL ID：201002287730218931   整理番号：10A0247322

InAs薄膜からの高強度THz波放射の膜厚依存性

Film thickness dependence of intense THz radiation from InAs thin films

著者 (7件)： 海野伸弥 (大阪工大 大学院工学研究科) ,  石橋祐太郎 (大阪工大 大学院工学研究科) ,  竹家啓 (大阪大 レーザーエネルギー学研究セ) ,  前元利彦 (大阪工大) ,  佐々誠彦 (大阪工大) ,  井上正崇 (大阪工大) ,  斗内政吉 (大阪大 レーザーエネルギー学研究セ)
資料名： 大阪工業大学紀要 理工編  (Memoirs of the Osaka Institute of Technology. Series A. Science and Technology)
巻： 54  号： 2  ページ： 17-23  発行年： 2010年02月27日 
JST資料番号： F0248A  ISSN： 0375-0191  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： テラヘルツ波(THz)とは,周波数領域で電波と光波の中間領域の電磁波であり,その発生・検出に関する研究が盛んに行われている。これまでに,発生素子の小型化に向け,III-V族化合物半導体であるInAs表面をフェムト秒パルスレーザで励起する手法の研究を行ってきた。本稿では,THz放射強度の高強度化に向けInAs膜厚に対する依存性を調査するため,p-GaSb基板とSI-GaAs基板上にInAs膜厚の異なる試料を作成し,そのTHz放射の強度を測定した。p-GaSb基板上にInAs薄膜を成長させると,InAs薄膜の膜厚増加に対してTHz放射強度は略比例して増加し,膜厚が900nmの試料からは,n-InASと比較して,約2倍のTHz放射が確認された。一方,SI-GaAs基板を用いてInAsを400nm成長させた場合,n-InAs基板よりも約1.6倍と強い放射が得られた。以上の結果から,InAs薄膜からのTHz放射は非常に高強度なものが得られることが分かった。

シソーラス用語： パルスレーザ ,  *レーザ励起 ,  *電磁波放射 ,  *ヒ化インジウム ,  化合物半導体 ,  *依存性 ,  基板 ,  アンチモン化ガリウム ,  ヒ化ガリウム ,  フェムト秒レーザ ,  *膜厚依存性
準シソーラス用語： フェムト秒パルスレーザ ,  *テルヘルツ波放射

分類 (1件)： レーザの応用  (BD04100V)

タイトルに関連する用語 (5件)： InAs ,  薄膜 ,  高強度 ,  THz波放射 ,  膜厚依存性